CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
IXTY08N100D2 stammen ausFabrikinventar, bitte überprüfen Sie Ihre Anforderungen und kontaktieren Sie uns mit Zielpreis.
Spezifikationen Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Typ | Beschreibung |
Kategorie | Diskrete Halbleiterprodukte |
Transistoren | |
FETs, MOSFETs | |
Einzelne FET, MOSFET | |
Mfr | IXYS |
Reihe | Verbrauch |
Paket | Schlauch |
Produktstatus | Aktiv |
FET-Typ | N-Kanal |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) |
Abflussspannung zur Quelle (Vdss) | 1000 V |
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C | 800mA (Tc) |
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 Ohm @ 400 mA, 0 V |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V |
Vgs (maximal) | ± 20V |
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
FET-Eigenschaft | Auslaufmodus |
Leistungsausfall (maximal) | 60 W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55 °C bis 150 °C (TJ) |
Typ der Montage | Oberflächenbefestigung |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252AA |
Packung / Gehäuse | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
Basisproduktnummer | IXTY08 |
Merkmale derDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
• Normalerweise eingeschaltet
•Internationale Standardpakete
• Epoxies für die Formgebung erfüllen UL94V-0Einstufung der Entflammbarkeit
AnwendungenDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
• Audioverstärker
• Anlaufkreise
• Schutzschaltkreise
• Rampengeneratoren
• Bestehende Regulierungsbehörden
• Aktivbelastungen
Zusätzliche VorteileDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
• Leicht zu montieren
• Platzersparnis
• Hohe Leistungsdichte
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
Eigenschaft | Beschreibung |
RoHS-Status | ROHS3-konform |
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) | 1 (unbegrenzt) |
REACH-Status | REACH unberührt |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |