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Created with Pixso. Zu Hause Created with Pixso. Produits Created with Pixso.
Chip der integrierten Schaltung
Created with Pixso. IXTY08N100D2 N Kanal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Oberflächenhalter TO-252AA

IXTY08N100D2 N Kanal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Oberflächenhalter TO-252AA

Brand Name: Original
Model Number: IXTY08N100D2
MOQ: 1
Preis: negotiable
Delivery Time: 3-4 Tage
Payment Terms: TT
Detail Information
Herkunftsort:
Original
Zertifizierung:
Original
FET-Typ:
N-Kanal
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
1000 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
21 Ohm @ 400 mA, 0 V
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:
14.6 nC @ 5 V
Vgs (maximal):
± 20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:
325 pF @ 25 V
Fet-Eigenschaft:
Auslaufmodus
Verpackung Informationen:
Karton
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100
Hervorheben:

IXTY08N100D2

,

IXTY08N100D2 N-Kanal-MOSFET-IC

,

TO-252AA N-Kanal MOSFET IC

Product Description

CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
 
IXTY08N100D2 stammen ausFabrikinventar, bitte überprüfen Sie Ihre Anforderungen und kontaktieren Sie uns mit Zielpreis.
 
Spezifikationen Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 

TypBeschreibung
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte
 Transistoren
 FETs, MOSFETs
 Einzelne FET, MOSFET
MfrIXYS
ReiheVerbrauch
PaketSchlauch
ProduktstatusAktiv
FET-TypN-Kanal
TechnologieMOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)1000 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C800mA (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 Ohm @ 400 mA, 0 V
Vgs(th) (Max) @ Id-
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs14.6 nC @ 5 V
Vgs (maximal)± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 25 V
FET-EigenschaftAuslaufmodus
Leistungsausfall (maximal)60 W (Tc)
Betriebstemperatur-55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der MontageOberflächenbefestigung
Lieferanten-GerätepaketTO-252AA
Packung / GehäuseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
BasisproduktnummerIXTY08

 
Merkmale derDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 
• Normalerweise eingeschaltet
Internationale Standardpakete
• Epoxies für die Formgebung erfüllen UL94V-0Einstufung der Entflammbarkeit
 
AnwendungenDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 
• Audioverstärker
• Anlaufkreise
• Schutzschaltkreise
• Rampengeneratoren
• Bestehende Regulierungsbehörden
• Aktivbelastungen
 
Zusätzliche VorteileDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 
• Leicht zu montieren
• Platzersparnis
• Hohe Leistungsdichte
 
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 

EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)1 (unbegrenzt)
REACH-StatusREACH unberührt
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095

 
IXTY08N100D2 N Kanal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Oberflächenhalter TO-252AA 0
 

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Chip der integrierten Schaltung
Created with Pixso. IXTY08N100D2 N Kanal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Oberflächenhalter TO-252AA

IXTY08N100D2 N Kanal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Oberflächenhalter TO-252AA

Brand Name: Original
Model Number: IXTY08N100D2
MOQ: 1
Preis: negotiable
Packaging Details: Karton
Payment Terms: TT
Detail Information
Herkunftsort:
Original
Markenname:
Original
Zertifizierung:
Original
Modellnummer:
IXTY08N100D2
FET-Typ:
N-Kanal
Abflussspannung zur Quelle (Vdss):
1000 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C:
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
21 Ohm @ 400 mA, 0 V
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs:
14.6 nC @ 5 V
Vgs (maximal):
± 20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds:
325 pF @ 25 V
Fet-Eigenschaft:
Auslaufmodus
Min Bestellmenge:
1
Preis:
negotiable
Verpackung Informationen:
Karton
Lieferzeit:
3-4 Tage
Zahlungsbedingungen:
TT
Versorgungsmaterial-Fähigkeit:
100
Hervorheben:

IXTY08N100D2

,

IXTY08N100D2 N-Kanal-MOSFET-IC

,

TO-252AA N-Kanal MOSFET IC

Product Description

CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
 
IXTY08N100D2 stammen ausFabrikinventar, bitte überprüfen Sie Ihre Anforderungen und kontaktieren Sie uns mit Zielpreis.
 
Spezifikationen Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 

TypBeschreibung
KategorieDiskrete Halbleiterprodukte
 Transistoren
 FETs, MOSFETs
 Einzelne FET, MOSFET
MfrIXYS
ReiheVerbrauch
PaketSchlauch
ProduktstatusAktiv
FET-TypN-Kanal
TechnologieMOSFET (Metalloxid)
Abflussspannung zur Quelle (Vdss)1000 V
Strom - kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C800mA (Tc)
Antriebsspannung (maximal eingeschaltet, minimale eingeschaltet)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 Ohm @ 400 mA, 0 V
Vgs(th) (Max) @ Id-
Schnittstellen (Qg) (Max) @ Vgs14.6 nC @ 5 V
Vgs (maximal)± 20V
Eintrittskapazität (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 25 V
FET-EigenschaftAuslaufmodus
Leistungsausfall (maximal)60 W (Tc)
Betriebstemperatur-55 °C bis 150 °C (TJ)
Typ der MontageOberflächenbefestigung
Lieferanten-GerätepaketTO-252AA
Packung / GehäuseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
BasisproduktnummerIXTY08

 
Merkmale derDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 
• Normalerweise eingeschaltet
Internationale Standardpakete
• Epoxies für die Formgebung erfüllen UL94V-0Einstufung der Entflammbarkeit
 
AnwendungenDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 
• Audioverstärker
• Anlaufkreise
• Schutzschaltkreise
• Rampengeneratoren
• Bestehende Regulierungsbehörden
• Aktivbelastungen
 
Zusätzliche VorteileDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 
• Leicht zu montieren
• Platzersparnis
• Hohe Leistungsdichte
 
Umwelt- und Exportklassifizierungen vonDie in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht.
 

EigenschaftBeschreibung
RoHS-StatusROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL)1 (unbegrenzt)
REACH-StatusREACH unberührt
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095

 
IXTY08N100D2 N Kanal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Oberflächenhalter TO-252AA 0