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LCMXO2-1200HC-4TG100C Field Programmable Gate Array IC 79 65536 1280 100-LQFP

LCMXO2-1200HC-4TG100C Feldprogrammierbare Tor-Array IC 79 65536 1280 100-LQFP

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    LCMXO2-1200HC-4TG100C

    ,

    LCMXO2-1200HC-4TG100C FPGA-IC

    ,

    100-LQFP Feldprogrammierbares Gate Array IC

  • Anzahl der LAB/CLB
    160
  • Anzahl der Logik-Elemente/Zellen
    1280
  • Gesamt RAM-Bits
    65536
  • Anzahl der E/Ausgänge
    79
  • Spannung - Versorgung
    2.375V ~ 3.465V
  • Betriebstemperatur
    0°C bis 85°C (TJ)
  • Herkunftsort
    Original
  • Markenname
    Original
  • Zertifizierung
    Original
  • Modellnummer
    LCMXO2-1200HC-4TG100C
  • Min Bestellmenge
    1
  • Preis
    Negotiation
  • Verpackung Informationen
    Karton
  • Lieferzeit
    3-4 Tage
  • Zahlungsbedingungen
    TT
  • Versorgungsmaterial-Fähigkeit
    100

LCMXO2-1200HC-4TG100C Feldprogrammierbare Tor-Array IC 79 65536 1280 100-LQFP

LCMXO2-1200HC-4TG100C Feldprogrammierbare Tor-Array IC 79 65536 1280 100-LQFP

 
Die Chips stammen aus der Fabrik, alle sind neu und originell.

Spezifikationen LCMXO2-1200HC-4TG100C

 

TYPE Beschreibung
Kategorie Integrierte Schaltungen (IC)
  Eingebettet
  FPGAs (Feld Programmierbares Tor Array)
Mfr Gattice Halbleiter Corporation
Reihe MachXO2
Verpackung Tray
Anzahl der LAB/CLB 160
Anzahl der Logik-Elemente/Zellen 1280
Gesamt RAM-Bits 65536
Anzahl der E/Ausgänge 79
Spannung - Versorgung 2.375V ~ 3.465V
Typ der Montage Oberflächenbefestigung
Betriebstemperatur 0°C bis 85°C (TJ)
Packung / Gehäuse 100-LQFP
Lieferanten-Gerätepaket Einheitliche Datenbank
Basisproduktnummer LCMXO2-1200

 

Merkmale derLCMXO2-1200HC-4TG100C


• Flexible Logik-Architektur
• Sechs Geräte mit 256 bis 6864 LUT4 und 18 bis 334 I/O
• Geräte mit sehr geringer Leistung
• Fortgeschrittener 65 nm-Low-Power-Prozess
• So wenig wie 22 μW Standby-Leistung
• Programmierbares Niedrigschwungdifferenzial I/O
• Bereitschaftsmodus und andere Einsparmöglichkeiten
• Eingebettete und verteilte Speicher
• sysMEMTM Embedded Block RAM bis zu 240 Kbit
• Bis zu 54 Kbit verteiltes RAM
• Dedicated FIFO Steuerungslogik
• Benutzer-Flash-Speicher auf dem Chip
• Bis zu 256 Kbit Benutzer-Flash-Speicher
• 100.000 Schreibzyklen
• Zugänglich über WISHBONE, SPI, I2C und JTAG
• Kann als Soft Processor PROM oder als Flash-Speicher verwendet werden
• Vorentwickelte synchrone Quelle-E/A
• DDR-Register in E/A-Zellen
• Spezielle Ganglogik
• 7:1 Ausrichtung für Anzeige-E/E
• Generische DDR, DDRX2, DDRX4
• Dedicated DDR/DDR2/LPDDR-Speicher mit DQS-Unterstützung
• Hochleistungs- und flexibler E/A-Puffer
• Der programmierbare sysIOTM-Puffer unterstützt eine Vielzahl von Schnittstellen:
¢ LVCMOS 3.3/2.5/1.8/1.5/1.2
¢ LVTTL
¢ PCI
Die in Anhang I der Verordnung (EU) Nr. 525/2014 aufgeführten Daten werden in Anhang II der Verordnung (EU) Nr. 525/2014 über die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Überwachung der Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der Vorschriften für die Einhaltung der
¢ SSTL 25/18
HSTL 18
Schmitt-Trigger-Eingänge, bis zu 0,5 V Hysterese
• I/O unterstützt Hot Socketing
• Differentialschluss auf dem Chip
• Programmierbarer Pull-up- oder Pull-down-Modus
• Flexible Uhrzeit auf dem Chip
• Acht Hauptuhren
• Bis zu zwei Randuhren für Hochgeschwindigkeits-E/A-Schnittstellen (nur auf der oberen und unteren Seite)
• Bis zu zwei analoge PLLs pro Gerät mit N-Frequenz-Synthese
️ Weitreichender Eingangsfrequenzbereich (7 MHz bis 400 MHz)
• Nicht flüchtig, unendlich konfigurierbar
• Instant-On
• Eine sichere Lösung mit einem einzigen Chip
• Programmierbar über JTAG, SPI oder I2C
• Unterstützt die Hintergrundprogrammierung von nichtflüchtigem Speicher
• Optional doppelter Boot mit externem SPI-Speicher
• TransFRTM-Rekonfiguration
• In-Field-Logik-Aktualisierung während des Betriebs des Systems
• Erweiterte Unterstützung auf Systemebene
• Auf dem Chip gehärteten Funktionen: SPI, I2C, Timer/Zähler
• On-Chip-Oszillator mit einer Genauigkeit von 5,5%
• Einzigartige TraceID für die Systemverfolgung
• Einmal programmierbar (OTP)
• Einzelne Stromversorgung mit längerer Reichweite
• IEEE-Standard 1149.1 Grenzscan
• IEEE 1532-konforme In-System-Programmierung
• Weite Pauschalpalette
• TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN Paketoptionen
• Paketoptionen für kleine Unternehmen
So klein wie 2,5 mm x 2,5 mm
• Unterstützung der Dichtewanderung
• Erweiterte, halogenfreie Verpackungen

 

 


Umwelt- und Exportklassifizierungen vonLCMXO2-1200HC-4TG100C
 

ZEITEN Beschreibung
RoHS-Status ROHS3-konform
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 3 (168 Stunden)
REACH-Status REACH unberührt
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001

 LCMXO2-1200HC-4TG100C Feldprogrammierbare Tor-Array IC 79 65536 1280 100-LQFP 0